檢索結果：共11筆資料 檢索策略： "氮化鎵".ckeyword (精準) and cdept.raw="光電工程研究所"
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InxGa1-xN系統之能隙可以由3.42eV （GaN）調變至0.7eV （InN），其能隙幾乎涵蓋了地球表面上收到的太陽光的頻譜，所以選擇氮化鎵系統半導體材料進行太陽電池之研究。 本論文主要將以…
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本論文研發氮化鎵表面結構化技術並嘗試應用於提升氮化鎵太 陽能電池光電流。本實驗所使用的商用氮化鎵晶圓原是為做LED元件 設計，主動層較薄。過薄的主動層將使得太陽能電池光吸收率不佳， 因此希望透過散射…
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發光二極體LED (Light Emitting Doide)其用途及性能都極為廣泛，但發光二極體主要是在藍寶石基板上磊晶，所以散熱一直是個問題，為了改善這問題，而利用覆晶封裝及雷射剝離藍寶石基…
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本論文使用具有超晶格(Super Lattice)結構的電子阻擋層(Electron Blocking Layer, EBL)的商用氮化鎵藍光LED晶圓，利用矽擴散的方式，將最上層的p-GaN反轉成…
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近年來隨著物聯網的蓬勃有越來越多的設備，所有的頻段規格都被規範在IEEE 802.11標準中，故精準地升頻並避免雜訊干擾以獲得正確、穩定地傳輸勢在必行。無線通訊速度在近十年更是以倍數成長，利用壓控振…
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隨著功率元件的需求提高，氮化鎵成為被廣泛應用的材料，因為和傳統的矽材料相比，而且氮化鎵有寬能隙、高崩潰電壓、熱穩定性佳、高峰電子速率等優點。氮化鎵和氮化鋁鎵接觸所形成的異質接面時，導致壓電極化…
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在發光二極體(Light emitting diode, LED)中，串聯電阻造成額外的能量損耗並產生熱，為降低串聯電阻值，本論文先建立LED元件電路模型，依據電流擴散路徑，分析總串聯電阻分別為何處…
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氮化鎵是製作發光二極體最主要的材料之一，而氮化鎵的直接能隙(3.4eV)與氮化銦直接能隙(0.7eV)所混合的三元化合物氮化銦鎵(InGaN)可做為發光二極體以及太陽能電池元件。 由於p型氮化鎵之功…
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本論文主要探討氮化鎵(gallium nitride)奈米線(nanowires)之光電導效率及其物理機制。利用定義歸一化增益，分別探討分子束磊晶與化學汽相沉積氮化鎵奈米線之光電導效率。經由去除實驗…
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本研究中，利用電漿輔助式分子束磊晶系統在矽基板上成長氮化鎵奈米柱及氮化銦鎵薄膜結構，並將其運用在光電化學產氫的研究上。首先在氮化鎵奈米柱部份，成長不同長度的奈米柱(長度大約在120~720nm、直徑…